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Programa para consulta de las características eléctricas de los transistores de silicio más usados en la actualidad.
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Programa para consulta de las características eléctricas de los transistores de silicio más usados en la actualidad.
Modo de uso:
Para que ArisWin3 muestre las características de un transistor, debe introducirse su número de identificación en la caja de edición denominada " Transistor a buscar "(Por ejemplo: TIP55). Sólo se encuentran en la base de datos, los transistores de los tipos BC, BD, BDV, BDW, BDX, BDY, BU, BUS, BUT, BUV, BUW, BUX, BUY, MJ, TIP Y 2N.
Seguidamente se debe pulsar el botón que tenga las letras del nombre de identificación del transistor. Una vez hecho esto, el programa mostrará las características de dicho transistor si se encuentra en la base de datos, y si no se encuentra en la base de datos, mostrará un mensaje de error.
Interpretación de datos:
Las características eléctricas son mostradas en las cajas de edición de sólo lectura que están en el interior del recuadro denominado " Características del transistor ". El nombre que precede a estas cajas de edición significa:
- Transistor; Número de identificación del transistor buscado.
- Polaridad; Polaridad del transistor buscado.
- Vcbo (V); Máxima tensión colector-base permisible con emisor en circuito abierto. En voltios.
- Vceo (V); Máxima tensión colector-emisor permisible con base en circuito abierto. En voltios.
- Vebo (V); Máxima tensión emisor-base permisible con colector en circuito abierto. En voltios.
- Ic (Amps); Máxima corriente de colector permisible. En amperios.
- Pt (Vats); Máxima potencia disipada permisible con la superficie de la cápsula a 25ºC . En vatios.
- Ft (MHz); Mínima frecuencia de corte para la cual, la ganancia de corriente en emisor común se reduce a la unidad. En megahertzios.
- Hfe (Min); Ganancia de corriente continua para la corriente de polarización (Ib) especificada.
- Ib (Amps); Corriente de polarización para la que se especifica la ganancia en corriente (Hfe). En amperios.
El dibujo muestra la cápsula del transistor y la disposición de los terminales del mismo. Es posible que algún fabricante los distribuya con una cápsula ligeramente distinta.
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